mos管失效的原因：

　　1：雪崩失效(電壓失效)，也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效。

　　2：柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導(dǎo)致柵極柵氧層失效

　　3：靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設(shè)備靜電而導(dǎo)致的器件失效。

　　4：諧振失效：在并聯(lián)使用的過程中，柵極及電路寄生參數(shù)導(dǎo)致震蕩引起的失效。

　　5：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結(jié)構(gòu)中，由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效。

　　6：SOA失效(電流失效)，既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導(dǎo)致的失效。

　　雪崩失效分析(電壓失效)

　　到底什么是雪崩失效呢，簡單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導(dǎo)致的一種失效模式。簡而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達到一定的能量限度而導(dǎo)致的一種常見的失效模式。

　　雪崩破壞的預(yù)防措施

　　雪崩故障歸根結(jié)底是電壓故障，所以阻止我們關(guān)注電壓。有關(guān)詳細信息，請參閱以下方法。

　　1:  合理降額使用。目前，行業(yè)內(nèi)降額一般選擇80%-95%的降額。具體情況根據(jù)公司保修條款和電路重點來選擇。

　　2：合理的變壓器反射電壓。

　　3：合理的RCD和TVS吸收電路設(shè)計。

　　4：大電流接線盡量采用大、小布置，以減小接線寄生電感。

　　5:選擇一個合理的門電阻Rg。

　　6:在大功率電源中，可以根據(jù)需要增加RC阻尼或齊納二極管吸收。

　　柵極電壓失效

　　造成柵極電壓異常高的主要原因有三：

　　1:生產(chǎn)、運輸、裝配過程中的靜電。

　　2：電力系統(tǒng)運行中設(shè)備和電路寄生參數(shù)引起的高壓諧振。

　　3:在高壓沖擊過程中，高壓通過Ggd傳輸?shù)诫娋W(wǎng)(在雷擊試驗中，這種原因引起的故障更常見)。

　　至于PCB污染程度、電氣間隙和其他進入柵極的高壓擊穿ic，沒有過多的解釋。

　　門極電壓失效的預(yù)防措施：

　　柵極和源極之間的過電壓保護：如果柵極和源極之間的阻抗過高，漏極和源極之間電壓的突然變化將通過電極間電容耦合到柵極上，導(dǎo)致非常高的UGS電壓超調(diào)，從而導(dǎo)致柵極超調(diào)。氧化物層永久性損壞。如果是正方向上的UGS瞬態(tài)電壓，設(shè)備也可能導(dǎo)通錯誤。為此，應(yīng)適當(dāng)降低柵極驅(qū)動電路的阻抗，并在柵極和源極之間并聯(lián)一個阻尼電阻或一個穩(wěn)壓約20V的調(diào)壓器。必須特別注意防止開門操作。二是排水管之間的過電壓保護。如果電路中存在電感負載，當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時，漏極電流(di/dt)的突然變化將導(dǎo)致漏極電壓超調(diào)，這遠遠高于電源電壓，從而導(dǎo)致設(shè)備損壞。應(yīng)采取齊納鉗、RC鉗或RC抑制電路等保護措施

　　靜電失效

　　靜電的基本物理特性是：有吸引力或斥力;有電場，與地球有電位差;產(chǎn)生放電電流。這三種情況對電子元件有以下影響：

　　一。該元件吸收灰塵，改變線路之間的阻抗，影響元件的功能和壽命。

　　二。由于電場或電流的作用，元件的絕緣層和導(dǎo)體損壞，使元件不能工作(完全損壞)。

　　三。由于電場的瞬時軟擊穿或電流過熱，元件受到損壞。雖然它還能工作，但它的生命受到了損害。

　　靜電失效預(yù)防措施：

　　MOS電路輸入端的保護二極管在通電時的電流容限為1毫安。當(dāng)可能出現(xiàn)過大的瞬時輸入電流(大于10mA)時，輸入保護電阻應(yīng)串聯(lián)。而129#在最初的設(shè)計中沒有添加保護電阻，所以這也是MOS管可能發(fā)生故障的原因，應(yīng)該通過用內(nèi)部保護電阻替換MOS管來防止這種故障。同時，由于保護電路吸收的瞬時能量有限，過大的瞬時信號和過高的靜電電壓會使保護電路失效。因此，在焊接過程中，烙鐵必須可靠接地，以防止設(shè)備輸入端子泄漏。一般使用時，斷電后，可利用烙鐵的余熱進行焊接，其接地腳應(yīng)先焊好。

　　諧振失效

　　當(dāng)功率MOS場效應(yīng)管并聯(lián)而不插入柵極電阻但直接連接時發(fā)生的柵極寄生振蕩。當(dāng)漏源電壓在高速下反復(fù)接通和斷開時，這種寄生振蕩發(fā)生在由柵極漏極電容Cgd(Crss)和柵極pin電感Lg構(gòu)成的諧振電路中。當(dāng)建立共振條件(ωL=1/ωC)時，在柵極和源極之間施加遠大于驅(qū)動電壓Vgs(in)的振動電壓，柵極因超過柵極源額定電壓而損壞，漏源電壓開關(guān)時的振動電壓通過柵極漏極電容器Cgd和Vgs的重疊波形產(chǎn)生正反饋，可能引起故障引起振蕩破壞。

　　諧振失效預(yù)防措施：

　　阻力可以抑制由于阻尼引起的振蕩。然而，將一個小電阻串聯(lián)到柵極上并不能解決振蕩阻尼問題。主要原因是驅(qū)動電路的阻抗匹配和功率管開關(guān)時間的調(diào)整。

　　體二極管故障

　　在不同的拓撲和電路中，mosfet具有不同的作用。例如，在LLC中，體二極管的速度也是影響MOSFET可靠性的一個重要因素。由于二極管本身是寄生參數(shù)，因此很難區(qū)分漏源體二極管故障和漏源電壓故障。雖然故障后很難區(qū)分車身的原因，但在防止電壓和二極管故障的解決方案上有很大的不同，主要是通過結(jié)合自身電路來分析

　　SOA失效(電流失效)

　　讓我們簡單談?wù)劦诙c，SOA失效。

　　半導(dǎo)體光放大器(SOA)失效是指在電源工作過程中，由于MOSFET上同時疊加了異常大的電流和電壓而引起的損傷模式。或者，芯片、散熱器和封裝不能及時達到熱平衡，導(dǎo)致熱量積聚，并且連續(xù)熱產(chǎn)生導(dǎo)致溫度超過由于熱擊穿模式而導(dǎo)致的氧化物層的極限。

　　SOA失效的預(yù)防措施：

　　1:確保在最壞的情況下，MOSFET的所有功率限制都在SOA限制線之內(nèi)。

　　2:OCP功能必須精確、詳細。