場(chǎng)效應(yīng)管的分類

場(chǎng)效應(yīng)管的分類，場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)

　　場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管，是較新型的半導(dǎo)體材料，利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制晶體管的電流，名字由此而來(lái)。它只有一種載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件，是一種用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。從參與導(dǎo)電的載流子來(lái)劃分，它有空穴作為載流子的P溝道器件子和電子作為載流子的N溝道器件和。從場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)來(lái)劃分，它分為兩種：

　　1.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管

　　(1) 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)

　　N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)如看下圖，它是在N型半導(dǎo)體硅片的兩側(cè)各制造一個(gè)PN結(jié)，形成兩個(gè)PN結(jié)夾著一個(gè)N型溝道的結(jié)構(gòu)。兩個(gè)P區(qū)即為柵極，N型硅的一端是漏極，另一端是源極。

　　(2) 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管工作原理

　　以N溝道為例說(shuō)明其工作原理。

　　當(dāng)VGS=0時(shí)，在漏、源之間加有一定電壓時(shí)，在漏源間將形成多子的漂移運(yùn)動(dòng)，產(chǎn)生漏極電流。當(dāng)VGS<0時(shí)，PN結(jié)反偏，形成耗盡層，漏源間的溝道將變窄，ID將減小，VGS繼續(xù)減小，溝道繼續(xù)變窄，ID繼續(xù)減小直至為0。當(dāng)漏極電流為零時(shí)所對(duì)應(yīng)的柵源電壓VGS稱為夾斷電壓VGS (off)。

　　2. 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（mos管）的工作原理

　　絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管分為：

　　耗盡型→N溝道、P溝道

　　增強(qiáng)型→N溝道、P溝道

　　(1)N溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)

　　N溝道耗盡型的結(jié)構(gòu)和符號(hào)如下圖(a)所示，它是在柵極下方的SiO2絕緣層中摻入了大量的金屬正離子。