場效應(yīng)管的代換

　大家知道場效應(yīng)管有些參數(shù)之間可以互相替換嗎?在有些參數(shù)的效應(yīng)管沒有了的情況下，可以找另一參數(shù)的場效應(yīng)管代替。那么，代換的原則是什么呢?

根據(jù)場效應(yīng)管相應(yīng)的一些參數(shù)，首先是一些硬性指標(biāo)，例如DS耐壓，和DS所能承受的最大電流，GS耐壓。其次考慮Rds，頻率，開通關(guān)斷時(shí)間等參數(shù)。

首先，同一類型

1.材料是一樣的。即鍺管為鍺管，硅管為硅管。

2.極性相同。即用NPN型管代替NPN型管，用PNP型管代替PNP型管。

3.實(shí)際模型相同，標(biāo)注方法不同。例如：D1555與2SD1555相同；R1201與GR1201相同；3DG9014與9014相同；但不排除同一型號(hào)由于廠家不同，參數(shù)差異很大。

第二，相似特征--用于替換（替換）的晶體管的特性應(yīng)與原始晶體管的特性相似。其主要參數(shù)值和特性曲線應(yīng)與原管相似或優(yōu)于原管。對于不同的電路，應(yīng)該有偏差。一般來說，只要下列主要參數(shù)相似，即可滿足更換（替代）要求。

1、集電極最大直流耗散功率

通常，需要更換（替代）其Pcm等于或大于原管的晶體管。如果原晶體管在整個(gè)電路中的實(shí)際直流耗散功率遠(yuǎn)小于其Pcm，也可以用具有較小Pcm的晶體管替換（替換）。

2、集電極最大允許直流電流（ICM）

通常，需要更換（替代）其Icm等于或大于原管的晶體管。

Icm的要求因制造商而異，有時(shí)它們差別很大。我們應(yīng)該注意制造商給出的試驗(yàn)條件。

下面是場效應(yīng)管一些常用的:

FGA25N120AND(IGBT) 1200V/25V/TO3P(電磁爐用）

FQA27N25（MOSFET) 250V/27A/TO3P IRFR254

FQA25N25（MOSFET) 250V/27A/TO3P

FQA40N25（MOSFET)

FQA55N25（MOSFET)

FQA18N50V2（MOSFET)

FQA24N50（MOSFET)...

具體看下圖：

想要了解更多，請?zhí)砑游⑿抛稍儯?/p>

　聯(lián)系人：李先生

　手機(jī)號(hào)碼：18124729390