MOS管全稱金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，英文全稱metal oxide semiconductor，屬于場(chǎng)效應(yīng)管中的絕緣柵型，所以，MOS管有時(shí)候又稱為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。

MOS管擊穿原因及解決方法

首先，MOS管本身的輸入電阻很高，柵極和源極之間的電容很小，所以很容易被外部電磁場(chǎng)或靜電感應(yīng)充電，少量的充電可以在電極之間的電容上形成相對(duì)較高的電壓。（U=Q/C），損壞管道。雖然MOS輸入有防靜電保護(hù)措施，但仍需小心處理。最好使用金屬容器或?qū)щ姴牧线M(jìn)行包裝和儲(chǔ)存。不要放在易受靜電高壓的化學(xué)材料或化纖織物中。組裝調(diào)試時(shí)，工具、儀表、工作臺(tái)等應(yīng)接地良好。為防止操作人員靜電干擾造成損壞，如不適合穿尼龍或化纖衣服，手或工具在接觸集成塊前應(yīng)接地。矯直或彎曲設(shè)備導(dǎo)線或手工焊接時(shí)，所用設(shè)備必須接地良好。

其次，當(dāng)MOS電路的輸入端的保護(hù)二極管接通時(shí)，其電流容限為1ma。當(dāng)可能出現(xiàn)過(guò)大的瞬態(tài)輸入電流（超過(guò)10毫安）時(shí)，輸入保護(hù)電阻應(yīng)串聯(lián)。因此，在應(yīng)用過(guò)程中可以選擇帶有內(nèi)部保護(hù)電阻的MOS管。同時(shí)，由于保護(hù)電路吸收的瞬時(shí)能量有限，過(guò)大的瞬時(shí)信號(hào)和過(guò)高的靜電電壓會(huì)使保護(hù)電路失效。因此，在焊接過(guò)程中，烙鐵必須可靠接地，以防止設(shè)備輸入端子泄漏。一般使用時(shí)，斷電后，可利用烙鐵的余熱進(jìn)行焊接，其接地腳應(yīng)先焊好。

MOS是一種電壓驅(qū)動(dòng)元件，對(duì)電壓非常敏感。浮動(dòng)G可以很容易地接受外部干擾使MOS導(dǎo)通。外部干擾信號(hào)給G-S結(jié)電容器充電。這種微小的電荷可以儲(chǔ)存很長(zhǎng)時(shí)間。在測(cè)試中，G懸架是非常危險(xiǎn)的。其中很多是由爆管引起的，G接一個(gè)下拉電阻接地，旁路干擾信號(hào)不通過(guò)，一般為10~20K，這個(gè)電阻叫做門電阻。功能1：為場(chǎng)效應(yīng)晶體管提供偏置電壓；功能2：用作放氣電阻器（保護(hù)柵極G源）。第一個(gè)角色很容易理解。這里是第二個(gè)作用原理：保護(hù)柵G~源S：場(chǎng)效應(yīng)晶體管的GS極之間的電阻很大，所以只要有少量的靜電就可以使其GS極之間的等效電容產(chǎn)生高壓。如果這些少量的靜電沒(méi)有及時(shí)放電，穿過(guò)his的高壓可能會(huì)導(dǎo)致場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)生故障，甚至可能擊穿。GS電極；此時(shí)，柵極和源極之間增加的電阻可以釋放上述靜電放電，從而保護(hù)場(chǎng)效應(yīng)管。