場效應晶體管(FET)具有輸入電阻大、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、易于集成等優(yōu)點，廣泛應用于電子電路、大電流和高壓電路中，正確使用和區(qū)分場效應晶體管的管腳和極性是非常必要的，與三極管一樣，要了解場效應晶體管的管腳和極性，首先要了解它的結構和原理;場效應晶體管的管腳有三個電極：柵極G、漏極D和源極S(雙柵極管有四個電極);場效應管由結場效應管(JFET)和絕緣柵場效應管(MOS)構成。場效應晶體管的“結”是指pn結。絕緣柵場效應晶體管的絕緣柵是指柵、源和漏之間的二氧化硅絕緣層。它們之間沒有傳導聯(lián)系。根據導電溝道的性質，將結場效應管和絕緣柵場效應管分為電子型(n)溝道和空穴型(p)溝道。這是場效應管傳導的通道;極性晶體管、三極管是雙極晶體管，即前者只由一種載流子傳導，后者由兩種載流子傳導;場效應晶體管是壓控晶體管，通過柵極和源極。兩個通道之間的電壓改變了通道的導電性。三極管是一種電流控制晶體管，通過改變電流來改變集電極電流。

　　從結構上可以看出結場效應晶體管具有以下特點：

      漏極D與源極S之間的半導體類型相同，即相同的p型或n型半導體，正負方向電阻相等，且電阻相對較小。與柵極G、漏極D和源S連接的半導體類型總是不同的。在柵極G和帶pn結的漏源之間，pn結的正向電阻小，反向電阻大；

        結場效應管的工作原理：對柵極和源施加反向電壓后，pn結的厚度會發(fā)生變化，從而改變電導通道導電性；

　　從增強型MOS管1的結構看：

       1.柵極G與漏極D和源極S分離，它們之間的電阻是無窮大的。

       2.漏極和源極在不加電壓的情況下是不導電的；

       3.增強型NMOS管是基于P型硅片（也稱為襯底），漏極與N型半導體相連，襯底和源極連接在一起，因此P型襯底和漏極N型半導體形成一個二極管，稱為寄生二極管；因此漏極和源極之間的反向電阻很小。

      增強型MOS管的工作原理是：在柵極和源極之間施加正向電壓，達到一定值后形成導電溝道。改變電壓將改變導電溝道的寬度和導電性；從結構1看MOS管。柵極與源極和漏極隔離，它們之間的電阻是無窮大的。所述漏極和所述源極可以導通，所述溝道在制造時形成；在所述電極和所述源極之間施加反向電壓后在柵極處，改變電壓改變所述導通溝道的寬度和導電性；

　　檢測方法

　   結場效應管的漏極和源極在制造過程中是對稱的，因此可以在不影響正常工作的情況下互換，只需確定柵極和溝道的類型。撥至R×100Ω，測量場效應管任意兩極間的電阻，每方向一根。有以下幾種情況：

       1。如果兩次測量的電阻相同或相似，則兩極為漏極。D，源S，其余為柵極；則紅筆不動，黑筆觸柵極，若電阻值較大，則測得p n節(jié)點反向電阻，黑筆接n，紅筆接p，則管為p通道，否則為n通道；

        2。如果這兩個測量值是大是小，則表明其中一個是柵極，另一個是漏極或源極。根據電阻值小的時間，紅筆不動，黑筆接另一極。如果電阻值很小，與黑筆切換前測得的電阻值相同或相似，則紅筆與電網相連。管為p通道；若測得的電阻與黑筆反轉前測得的電阻明顯不同，則黑筆反轉前有柵極，管為n通道場效應管；或直接測量兩極間的正負電阻，第一種情況，你可以確定網格，這是相對簡單的

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