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如何讀懂MOS管參數(shù)表？常用MOS管的型號參數(shù)大全

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　　1、MOS管基本參數(shù)

　　Ciss ：輸入電容， Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路)。

　　Coss ：輸出電容，Coss = CDS +CGD。

　　Crss ：反向傳輸電容，Crss = CGD。

　　Tr：上升時間。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時間。

　　Tf ：下降時間，輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時間。

　　Td(on)：導通延遲時刻。從有輸入電壓上升到10%開端到VDS下降到其幅值90%的時間。

　　Td(off)：關(guān)斷延遲時間，輸入電壓下降到 90% 開始到 VDS 上升到其關(guān)斷電壓時 10% 的時間。

　　Qgd：柵漏充電(考慮到Miller效應)電量。

　　Qgs：柵源充電電量。

　　Qg：柵極總充電電量。

　　2、MOS管靜態(tài)參數(shù)

　　STG：存儲溫度范圍。

　　Tj：最大工作結(jié)溫。通常為 150 ℃ 或 175 ℃ ，器件設計的工作條件下須確應避免超過這個溫度，并留有一定裕量。(此參數(shù)靠不住)

　　VGS：最大柵源電壓。，通常為：-20V~+20V

　　PD：最大耗散功率。是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時，場效應管實際功耗應小于 PDSM 并留有一定余量。此參數(shù)一般會隨結(jié)溫度的上升有所減額。(此參數(shù)靠不住)

　　IDM：最大脈沖漏源電流。此參數(shù)會隨結(jié)溫度的上升而有所減額。

　　ID：最大漏源電流。是指場效應管正常作業(yè)時，漏源間所容許經(jīng)過的最大電流。場效應管的作業(yè)電流不應超越ID。此參數(shù)會隨結(jié)溫度的上升而有所減額。

　　3、MOS管動態(tài)參數(shù)

　　IGSS：柵源驅(qū)動電流或反向電流。由于MOSFET輸入阻抗很大，IGSS通常在納安級。

　　IDSS：飽滿漏源電流，柵極電壓VGS=0、VDS為必定值時的漏源電流。通常在微安級。

　　VGS(th)：開啟電壓(閥值電壓)。當外加柵極控制電壓 VGS 超過 VGS(th) 時，漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道。應用中，常將漏極短接條件下 ID 等于 1 毫安時的柵極電壓稱為開啟電壓。此參數(shù)一般會隨結(jié)溫度的上升而有所降低。

　　RDS(on)：在特定的VGS(一般為10V)、結(jié)溫及漏極電流的前提下，MOSFET導通時漏源間的最大阻抗。它是一個非常重要的參數(shù)，決定了MOSFET導通時的消耗功率。此參數(shù)通常會隨結(jié)溫度的上升而有所增大(正溫度特性)。故應以此參數(shù)在最高作業(yè)結(jié)溫前提下的值作為損耗及壓降計算。

　　Tj：漏源擊穿電壓的溫度系數(shù)，通常為0.1V/℃。

　　4、MOS管雪崩擊穿特性參數(shù)

　　這些參數(shù)是 MOSFET 在關(guān)斷狀態(tài)能承受過壓能力的指標。如果電壓超過漏源極限電壓將導致器件處在雪崩狀態(tài)。

　　EAS：單次脈沖雪崩擊穿能量。這是個極限參數(shù)，說明 MOSFET 所能承受的最大雪崩擊穿能量。

　　IAR：雪崩電流

　　EAR：重復雪崩擊穿能量

　　5、體內(nèi)二極管參數(shù)

　　IS：連續(xù)最大續(xù)流電流(從源極)

　　ISM：脈沖最大續(xù)流電流(從源極)

　　VSD：正向?qū)▔航?/p>

　　Trr：反向恢復時間

　　Qrr：反向恢復充電電量