未來3年場效應(yīng)管價格及市場走勢如何，一起來看看

近幾年來，全球半導(dǎo)體產(chǎn)值從2016年的衰退3%至3,656億美元，2017年后又開始強勁復(fù)蘇，Garnter預(yù)估2018年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值將成長至4744億美元，年增約8%，其中場效應(yīng)管增長較為穩(wěn)健。

近幾年中國在芯片和半導(dǎo)體研發(fā)投入在不斷地提升，從2012年的約80億美金增長到2017年的180億美金，預(yù)計未來五年的增速會在13%左右，大概是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增速的3倍左右，是全球GDP增速的6倍左右。

預(yù)計國內(nèi)未來三年分立器件增速平穩(wěn)，約7.8%左右，到2020年市場規(guī)模約在3100億元左右。

中國整體芯片和集成電路市場國產(chǎn)化不斷提升，預(yù)計2019-2023年國產(chǎn)比例會進一步提升到約50%。在分立器件領(lǐng)域，中國產(chǎn)品替代性強，并擁有很大的出口潛力，隨著中美貿(mào)易戰(zhàn)的影響加深，預(yù)計功率器件國產(chǎn)替代率會進一步提升。

2018年中國功率MOSFET市場規(guī)模26.39億美元，占據(jù)全球67.12億元市場規(guī)模的39.3%，中國場效應(yīng)管市場前十一大企業(yè)共占據(jù)82.2%的市場空間，其中中國資本收購的外國企業(yè)Nexperia位列第八，占據(jù)3.2%的市場份額，中國企業(yè)士蘭微位列第十，占據(jù)2.5%，二者合計為5.7%。中國MOSFET市場需求量與中國企業(yè)供給量存在巨大差距，場效應(yīng)管國產(chǎn)廠家品牌整體市場占比較低，國產(chǎn)替代空間還是比較大的。

功率器件中，場效應(yīng)管占比最高，但是近年來IGBT需求增長最快。隨著高鐵，新能源汽車的發(fā)展，預(yù)計未來IGBT需求會非常強勁，IGBT未來幾年的發(fā)展快于其他功率器件的增長！

MOSFET應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，從家電到數(shù)碼設(shè)備，從工業(yè)智能設(shè)備到玩具，都需要用到場效應(yīng)管，場效應(yīng)管的市場需求還是比較大的，預(yù)計未來場效應(yīng)管價格將長期保持穩(wěn)定。

預(yù)計國內(nèi)場效應(yīng)管2019年市場規(guī)模約80億美元（550億人民幣）。由于中美貿(mào)易戰(zhàn)提升了關(guān)稅，進口場效應(yīng)管價格升高，加上美國對華為的禁令，促使國家加快這方面的研發(fā)和投入，預(yù)計國產(chǎn)化率未來會不斷提高。國內(nèi)知名場效應(yīng)管品牌深圳市通順達科技，計劃利用這一市場形勢，加大研發(fā)，將為市場提供更多國產(chǎn)替代器件。